Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
НачалоПродуктиАксесоари за индустриални интелигентни модулиСпецификации на модула за памет DDR3 UDIMM

Спецификации на модула за памет DDR3 UDIMM

Вид плащане:
L/C,T/T,D/A
Инкотерм:
FOB,EXW,CIF
Мин. Поръчка:
1 Piece/Pieces
транспорт:
Ocean,Air,Express,Land
  • Описание на продукта
Overview
Атрибути на продукта

Модел №NSO4GU3AB

Възможност за доставк...

транспортOcean,Air,Express,Land

Вид плащанеL/C,T/T,D/A

ИнкотермFOB,EXW,CIF

Опаковка & доставка
Продажба на единици:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-пин DDR3 UDIMM


История на ревизията

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Таблица за информация за поръчка

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Описание
HengStar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (некофинирани двойни скорости на данни Синхронни DRAM Dual In-Line Memory Modul) са с ниска мощност, високоскоростни операционни модули за памет, които използват DDR3 SDRAM устройства. NS04GU3AB е 512m x 64-битов два ранга 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM UNBOFERED DIMM продукт, базиран на шестнадесет 256M x 8-битови FBGA компоненти. SPD е програмиран към стандартната латентност на JEDEC DDR3-1600 от 11-11-11 при 1.5V. Всеки 240-пинов дим използва златни контактни пръсти. SDRAM Unbuffered DIMM е предназначен за използване като основна памет, когато е инсталиран в системи като компютри и работни станции.


Характеристика
Supply Power: VDD = 1.5V (1.425V до 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V до 1,575V)
800MHz FCK за 1600MB/sec/pin
8 Независима вътрешна банка
 Програмируема латентност на CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Програмируема адитивна латентност: 0, Cl - 2 или Cl - 1 часовник
8-битово предварително извличане
 БУРst Дължина: 8 (преплитане без никаква граница, последователна само с начален адрес „000“), 4 с TCCD = 4, което не позволява безпроблемно четене или пише [или в движение, използвайки A12 или MRS]
BI-посочен диференциална конструкция на данни
Calibration (самостоятелно) калибриране; Вътрешно самокалибриране чрез ZQ PIN (RZQ: 240 OHM ± 1%)
 При прекратяване на матрицата с помощта на PIN ODT
PerioDerable Periort 7.8us при по -нисък от TCASE 85 ° C, 3.9us при 85 ° C <TCASE <95 ° C
Асинхронно нулиране
 Настанимо силата на задвижването на изхода на данните-изход
Topoly топология
PCB: височина 1.18 ”(30 мм)
ROHS Съвместим и без халоген


Параметри на ключови времена

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Таблица за адрес

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Описания на щифтове

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Забележки : Таблицата за описание на щифта по -долу е изчерпателен списък на всички възможни пинове за всички DDR3 модули. Всички изброени пинове може да бъдат не се поддържат на този модул. Вижте ПИН задачи за информация, специфична за този модул.


Функционална блокова диаграма

4GB, 512MX64 модул (2Rank от X8)

1


2


Забележка:
1. Топката ZQ на всеки компонент DDR3 е свързана към външен 240Ω ± 1% резистор, който е обвързан с земята. Използва се за калибриране на драйвера за прекратяване и изход на компонента.



Размери на модула


Изглед отпред

3

Изглед отпред

4

Бележки:
1. Всички размери са в милиметри (инчове); Макс/мин или типичен (TYP), където е отбелязано.
2. Толеранс върху всички размери ± 0,15 мм, освен ако не е посочено друго.
3. Диаграмата на размерите е само за справка.

продуктови категории : Аксесоари за индустриални интелигентни модули

Изпратете имейл до този доставчик
  • *Предмет:
  • *Да се:
    Mr. Jummary
  • *електронна поща:
  • *съобщение:
    Вашето съобщение трябва да бъде между 20-8000 знака
НачалоПродуктиАксесоари за индустриални интелигентни модулиСпецификации на модула за памет DDR3 UDIMM
Изпратете запитване
*
*

У дома

Product

Phone

За нас

Разследване

Ще се свържем с вас незабавно

Попълнете повече информация, така че да може да се свърже с вас по -бързо

Декларация за поверителност: Вашата поверителност е много важна за нас. Нашата компания обещава да не разкрива личната ви информация на всяко разширяване с изричните ви разрешения.

изпращам